STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

77,28 kr

(exkl. moms)

96,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 25 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 2 430 enhet(er) från den 31 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 515,456 kr77,28 kr
10 +14,672 kr73,36 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
485-7686
Tillv. art.nr:
STP4NK60Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

70W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.15mm

Bredd

4.6 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 250V till 650V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar