Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 8.8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 462-3247
- Tillv. art.nr:
- SPD08P06PGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
67,09 kr
(exkl. moms)
83,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 330 enhet(er) levereras från den 24 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,709 kr | 67,09 kr |
| 100 - 240 | 6,373 kr | 63,73 kr |
| 250 - 490 | 6,115 kr | 61,15 kr |
| 500 - 990 | 5,835 kr | 58,35 kr |
| 1000 + | 5,432 kr | 54,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 462-3247
- Tillv. art.nr:
- SPD08P06PGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.55V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie SIPMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.55V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 8.8A Maximum Continuous Drain Current, 42W Maximum Power Dissipation - SPD08P06PGBTMA1
This MOSFET is designed for applications requiring efficient switching and control. It can handle continuous drain currents of 8.8A and a drain-source voltage of 60V, suitable for various electronic circuits. The device operates effectively within a broad temperature range, enhancing performance in challenging environments.
Features & Benefits
• Enhanced mode operation ensures efficient switching performance
• High power capacity caters to strong electronic applications
• Low Rds(on) minimises energy losses during operation
• Utilises DPAK package for effective surface mount applications
Applications
• Applicable in automotive electronic controls for high reliability
• Ideal for power management systems in industrial equipment
• Suitable for battery management systems in electric vehicles
• Utilised in inverter technology for renewable energy systems
• Used in electronic switching devices for consumer products
What are the implications of using a P-channel configuration?
P-channel configurations facilitate easy integration in high-side switch applications, providing convenient control within circuits.
How does the thermal performance affect longevity?
The capability to operate at up to +175°C enhances reliability and contributes to a longer lifespan in harsh environments.
What is the significance of the AEC-Q101 qualification?
This qualification confirms its suitability for automotive applications, meeting stringent reliability and safety standards.
Can this be used in conjunction with other MOSFETs?
Yes, it can be integrated with other components to create complementary circuits for efficient multi-switching applications.
What factors influence the power dissipation in this device?
Key factors include ambient temperature, drain current, and duty cycle during operation, all affecting overall thermal performance.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 8.8 A 60 V Förbättring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 30 A 60 V Förbättring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 9.7 A 60 V Förbättring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 11.3 A 100 V Förbättring TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 1.17 A 60 V Förbättring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 2.9 A 60 V Förbättring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 1.9 A 60 V Förbättring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 330 mA 60 V Förbättring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
