Vishay 2 Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 40 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8, SIS9446DN
- RS-artikelnummer:
- 279-9977
- Tillv. art.nr:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
71,12 kr
(exkl. moms)
88,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,224 kr | 71,12 kr |
| 50 - 95 | 10,662 kr | 53,31 kr |
| 100 - 245 | 9,452 kr | 47,26 kr |
| 250 - 995 | 9,274 kr | 46,37 kr |
| 1000 + | 9,14 kr | 45,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9977
- Tillv. art.nr:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SIS9446DN | |
| Kapseltyp | 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SIS9446DN | ||
Kapseltyp 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay MOSFET is a Dual N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Reduces switching related power loss
Fully lead (Pb)-free device
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N Kanal 34 A 40 V Förbättring 1212-8, SIS9446DN
- Vishay Typ N Kanal 8 A 60 V Förbättring 1212-8, SIS
- Vishay N-kanal Kanal 85 A 12 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 5.7 A 60 V Förbättring PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ N Kanal 36 A 40 V Förbättring 1212-8, SISS
- Vishay Typ P Kanal 54 A 30 V Förbättring 1212-8, SISH
- Vishay Typ P Kanal 34.4 A 30 V Förbättring 1212-8, SISH
- Vishay P-kanal Kanal -104 A -20 V Förbättring PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
