Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 34.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8, SISH
- RS-artikelnummer:
- 279-9984
- Tillv. art.nr:
- SISH107DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
83,89 kr
(exkl. moms)
104,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 8,389 kr | 83,89 kr |
| 50 - 90 | 6,227 kr | 62,27 kr |
| 100 - 240 | 5,555 kr | 55,55 kr |
| 250 - 990 | 5,421 kr | 54,21 kr |
| 1000 + | 5,309 kr | 53,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9984
- Tillv. art.nr:
- SISH107DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | 1212-8 | |
| Serie | SISH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.014Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 26.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp 1212-8 | ||
Serie SISH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.014Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 26.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en P-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg- och UIS-testat
Helt blyfri (Pb)-enhet
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 34.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8, SISH
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 54 A 30 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8, SISH
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- Vishay 1 Typ P, Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7129DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 59.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SISS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 108 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS05DN