Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR638ADP-T1-UE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

139,22 kr

(exkl. moms)

174,024 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 992 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 - 5634,805 kr139,22 kr
60 - 9634,16 kr136,64 kr
100 - 23633,573 kr134,29 kr
240 - 99632,873 kr131,49 kr
1000 +32,255 kr129,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9958
Tillv. art.nr:
SIR638ADP-T1-UE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00088Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

165nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar