Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 66.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5808DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

92,06 kr

(exkl. moms)

115,075 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4518,412 kr92,06 kr
50 - 9515,882 kr79,41 kr
100 - 24514,134 kr70,67 kr
250 - 99513,844 kr69,22 kr
1000 +13,62 kr68,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9956
Tillv. art.nr:
SIR5808DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00735Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar