Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 105 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

52,30 kr

(exkl. moms)

65,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 945 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4510,46 kr52,30 kr
50 - 957,818 kr39,09 kr
100 - 2456,944 kr34,72 kr
250 - 9956,832 kr34,16 kr
1000 +6,698 kr33,49 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9949
Tillv. art.nr:
SIR5211DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

105A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0062Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

relaterade länkar