Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

111,89 kr

(exkl. moms)

139,862 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 470 enhet(er) från den 12 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 255,945 kr111,89 kr
4 - 854,825 kr109,65 kr
10 - 2853,65 kr107,30 kr
30 - 9852,53 kr105,06 kr
100 +50,625 kr101,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9912
Tillv. art.nr:
SIHG155N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIHG

Package Type

TO-247AC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.7mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar