Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 25 enheter)*

816,80 kr

(exkl. moms)

1 021,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
25 - 7532,672 kr816,80 kr
100 +29,045 kr726,13 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9911
Tillv. art.nr:
SIHG155N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247AC

Series

SIHG

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.7mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar