Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

97,55 kr

(exkl. moms)

121,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 253,902 kr97,55 kr
50 - 753,822 kr95,55 kr
100 - 2253,476 kr86,90 kr
250 - 9753,405 kr85,13 kr
1000 +3,338 kr83,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9891
Tillv. art.nr:
SI1480BDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.212Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

relaterade länkar