Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 692,00 kr

(exkl. moms)

5 865,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,564 kr4 692,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9890
Tillv. art.nr:
SI1480BDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-363

Series

SI

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.212Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

relaterade länkar