Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

20 025,00 kr

(exkl. moms)

25 025,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,01 kr20 025,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5241
Tillv. art.nr:
BSO080P03SHXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-14.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Kapseltyp

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

-102nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

-0.82V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Höjd

1.5mm

Bredd

40 mm

Längd

40mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.

Logic level

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Enhancement mode

Relaterade länkar