Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R115CFD7AXKSA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 702,62 kr

(exkl. moms)

2 128,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 210 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 - 3056,754 kr1 702,62 kr
60 +52,382 kr1 571,46 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3027
Tillv. art.nr:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO-247

Series

IPW

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AECQ101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon automotive SJ power MOSFET is in TO-247 package is part of the automotive qualified 650V cool MOS SJ power MOSFET CFD7A product family.

Enabling of higher power density designs

Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage

Granular portfolio available

relaterade länkar