Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- RS-artikelnummer:
- 273-3020
- Tillv. art.nr:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
64,74 kr
(exkl. moms)
80,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 64,74 kr |
| 10 - 24 | 58,91 kr |
| 25 - 49 | 53,87 kr |
| 50 - 99 | 49,73 kr |
| 100 + | 46,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3020
- Tillv. art.nr:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36.23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | IPP | |
| Kapseltyp | PG-TO220-3 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36.23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie IPP | ||
Kapseltyp PG-TO220-3 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
The Infineon 650V cool MOS CFD7 super junction MOSFET in a TO-220 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar and EV charging stations, in which it enables significant efficiency improvement
Excellent hard-commutation ruggedness
Extra safety margin for designs with increased bus voltage
Enabling increased power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 36.23 A 700 V Förbättring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal 135 A 600 V Förbättring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal 70 A 600 V Förbättring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal 136 A 200 V Förbättring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal 19 A 600 V Förbättring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal 39 A 200 V Förbättring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal 98 A 135 V Förbättring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal 100 A 100 V Förbättring PG-TO220-3, OptiMOSa5