Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- RS-artikelnummer:
- 273-3019
- Tillv. art.nr:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 50 enheter)*
2 138,85 kr
(exkl. moms)
2 673,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 42,777 kr | 2 138,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3019
- Tillv. art.nr:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36.23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36.23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
Infineons 650 V Cool MOS CFD7 Super Junction MOSFET i ett TO-220-paket är idealiskt lämpad för resonanta topologier i industriella tillämpningar, som server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där det möjliggör betydande effektivitetsförbättring
Utmärkt robusthet vid hård kommutation
Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning
Möjliggör ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 98 A 135 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 136 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, OptiMOSa5