Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 733,75 kr

(exkl. moms)

2 167,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +34,675 kr1 733,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3019
Tillv. art.nr:
IPP65R060CFD7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36.23A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

PG-TO220-3

Serie

IPP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

171W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

68nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

JEDEC, RoHS

The Infineon 650V cool MOS CFD7 super junction MOSFET in a TO-220 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar and EV charging stations, in which it enables significant efficiency improvement

Excellent hard-commutation ruggedness

Extra safety margin for designs with increased bus voltage

Enabling increased power density

Relaterade länkar