Infineon N Kanal, MOSFET, 135 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- RS-artikelnummer:
- 349-000
- Tillv. art.nr:
- IPP60R016CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
154,56 kr
(exkl. moms)
193,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 491 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 154,56 kr |
| 10 - 99 | 139,10 kr |
| 100 + | 128,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-000
- Tillv. art.nr:
- IPP60R016CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 135A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 171nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 625W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 135A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 171nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 625W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IPP-serien MOSFET, 600 V drain source-spänning, 135 A kontinuerlig drain-ström – IPP60R016CM8XKSA1
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling och styrning i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för tuffa miljöer och levereras i en TO-220-kapsel med genomgående hål för enkel kylfläns och kortmontering. Enheten uppfyller standardgodkännanden för halvledare och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande strömhantering och värmebeständighet.
Funktioner och fördelar:
• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 135 A stöder höga belastningsströmmar
• Maximal Rds(on) på 16 mΩ minskar ledningsförlusterna under belastning
• Maximal effektförlust på 625 W möjliggör ökad termisk belastning
• 171 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbart omkopplingsbeteende
• Vgs±30 V tolerans möjliggör robusta grinddrivarmarginaler
• Kontinuerlig dräneringsström på 135 A stöder höga belastningsströmmar
• Maximal Rds(on) på 16 mΩ minskar ledningsförlusterna under belastning
• Maximal effektförlust på 625 W möjliggör ökad termisk belastning
• 171 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbart omkopplingsbeteende
• Vgs±30 V tolerans möjliggör robusta grinddrivarmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för strömomvandlare och växelriktare på nätnivå
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med högströms DC-DC-omvandlingsmoduler
• Kan användas för elektronisk last- och effekttestutrustning
• Lämplig för strömförsörjning i telekommunikationsinfrastruktur
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med högströms DC-DC-omvandlingsmoduler
• Kan användas för elektronisk last- och effekttestutrustning
• Lämplig för strömförsörjning i telekommunikationsinfrastruktur
Vilka omgivningsförhållanden tål den under drift?
Den är klassad för kontinuerlig drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i både kalla startmiljöer och miljöer med höga temperaturer.
Hur många stift och vilken monteringsstil medföljer?
Enheten använder en trepolig konfiguration och är utformad för montering genom hål i en TO-220-standardfotavtryck.
Vilka grinddrivaröverväganden krävs för omkoppling?
Grindspänningen bör ligga inom ±30 V för att skydda grinden
den typiska grindladdningen på 171 nC bör beaktas vid dimensionering av drivrutiner för att uppfylla önskade omkopplingshastigheter.
Vilka godkännanden indikerar standardöverensstämmelse för val av komponenter?
Den har JEDEC-erkända kvalifikationer och RoHS-överensstämmelse för material- och tillverkningsstandarder.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 98 A 135 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 136 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPA
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, OptiMOSa5