Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET, -18.6 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

14 142,50 kr

(exkl. moms)

17 677,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,657 kr14 142,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2831
Tillv. art.nr:
SPD18P06PGBTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-18.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TO252-3

Series

SPD18P06P G

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.33V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

80W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.5mm

Standards/Approvals

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Width

40 mm

Length

40mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a P channel, enhancement mode MOSFET. It has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET is qualified according to AEC Q101 standard.

RoHS compliant

Avalanche rated

Pb free lead plating

relaterade länkar