Vishay SiRA Type N-Channel MOSFET, 128 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA54ADP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

106,18 kr

(exkl. moms)

132,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4521,236 kr106,18 kr
50 - 9519,108 kr95,54 kr
100 - 24515,412 kr77,06 kr
250 - 99515,098 kr75,49 kr
1000 +10,46 kr52,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8338
Tillv. art.nr:
SiRA54ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiRA

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and It is used an application as synchronous rectification and motor drive control.

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

relaterade länkar