Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 26.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5710DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

96,21 kr

(exkl. moms)

120,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 050 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,242 kr96,21 kr
50 - 9517,292 kr86,46 kr
100 - 24513,484 kr67,42 kr
250 - 99513,194 kr65,97 kr
1000 +8,78 kr43,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8335
Tillv. art.nr:
SIR5710DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0315Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

relaterade länkar