Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH250N60EF-T1GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

97,22 kr

(exkl. moms)

121,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4848,61 kr97,22 kr
50 - 9843,68 kr87,36 kr
100 - 24835,73 kr71,46 kr
250 - 99835,17 kr70,34 kr
1000 +27,495 kr54,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8303
Tillv. art.nr:
SIHH250N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHH

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.25Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TW
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies, and telecom power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

relaterade länkar