ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3L080SN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

12 667,50 kr

(exkl. moms)

15 835,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,067 kr12 667,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
264-3810
Tillv. art.nr:
RD3L080SNTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

RD3L080SN

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.4nC

Maximal effektförlust Pd

15W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

Pb-free lead plating, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The ROHM power MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is drive circuits can be simple and Pb-free plating and RoHS compliant.

Fast switching speed

Parallel use is easy

Relaterade länkar