ROHM N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 235-2694
- Tillv. art.nr:
- R6511END3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
163,97 kr
(exkl. moms)
204,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 32,794 kr | 163,97 kr |
| 50 - 95 | 28,112 kr | 140,56 kr |
| 100 - 245 | 23,90 kr | 119,50 kr |
| 250 - 995 | 23,364 kr | 116,82 kr |
| 1000 + | 19,242 kr | 96,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-2694
- Tillv. art.nr:
- R6511END3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 10.4mm | |
| Längd | 6.4mm | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 10.4mm | ||
Längd 6.4mm | ||
Bredd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM R6xxxENx-serien är lågbrusiga produkter, Super Junction MOSFET, som lägger stor vikt vid användarvänlighet. Produkter i denna serie uppnår överlägsen prestanda för bullerkänsliga tillämpningar för att minska buller, t.ex. ljud- och belysningsutrustning.
Låg på-resistans
Snabb kopplingshastighet
Parallell användning är enkel
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252