Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -11 A, -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

9 015,00 kr

(exkl. moms)

11 268,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,005 kr9 015,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6769
Tillv. art.nr:
IRFR9024NTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

175mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Forward Voltage Vf

-1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fully avalanche rated

Fast switching

relaterade länkar