Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 168-7942
Tillv. art.nr:: IRFR9024NTRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

7 760,00 kr

(exkl. moms)

9 700,00 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 - 2000	3,88 kr	7 760,00 kr
4000 +	3,686 kr	7 372,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 168-7942
Tillv. art.nr:: IRFR9024NTRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	11A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-252
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	175mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	19nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.6V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	38W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.22 mm
	Höjd	2.39mm
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-252
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 175mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.6V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 38W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.22 mm
	Höjd 2.39mm
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MX

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 11A maximal kontinuerlig dräneringsström, 38W maximal effektförlust - IRFR9024NTRPBF

Denna P-kanaliga MOSFET, som använder HEXFET-teknik, ger effektiv prestanda i en rad olika elektroniska applikationer. De robusta egenskaperna gör den till en viktig komponent för användare inom automation, elektronik samt den elektriska och mekaniska sektorn. Produkten är skicklig på att hantera höga strömbelastningar samtidigt som den säkerställer effektiv kontroll i kraftkretsar.

Funktioner & fördelar

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 11 A möjliggör högpresterande applikationer

• Klarar en drain-source-spänning på upp till 55 V för ökad tillförlitlighet

• Låg RDS(on) på 175 mΩ minimerar strömförlusten under drift

• Enhancement mode design optimerar effektiviteten för olika användningsområden

• DPAK TO-252 ytmonterat paket förenklar PCB-integration och montering

Användningsområden

• Effektiv energihantering i strömförsörjningskretsar

• Lämplig för motorstyrning kräver hög strömstyrka

• Används i DC-DC-omvandlare för förbättrad effektivitet

• Idealisk för lastväxling på grund av snabba svarstider

• Används i industriella automationssystem för ökad tillförlitlighet

Vilken är den maximala effektförlusten för denna komponent?

Den har en maximal effektavledningsförmåga på 38 W.

Hur hanterar produkten gate-spänningar?

Grinden kan hantera spänningar från -20 V till +20 V, vilket ger stor flexibilitet i konstruktionen.

Vad är enhetens termiska prestanda?

Den arbetar säkert vid en maximal temperatur på 150 °C, vilket garanterar tillförlitlighet i olika miljöer.

Är den lätt att montera på ett kretskort?

Ja, DPAK TO-252-förpackningen möjliggör enkel ytmontering på kretskort.

Hur fungerar denna MOSFET under varierande temperaturer?

Den förblir funktionell inom ett brett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, vilket tillgodoser olika applikationsbehov.