Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 913-4789
Tillv. art.nr:: IRFR5305TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

8 414,00 kr

(exkl. moms)

10 518,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 24 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 - 2000	4,207 kr	8 414,00 kr
4000 +	3,996 kr	7 992,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 913-4789
Tillv. art.nr:: IRFR5305TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	31A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-252
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	65mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	-1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	110W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	63nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	6.73mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	2.39mm
	Bredd	6.22 mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-252
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf -1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 110W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 6.73mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 2.39mm
	Bredd 6.22 mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MX

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 31 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 110 W maximal effektförlust - IRFR5305TRPBF

Denna MOSFET erbjuder avancerad prestanda för olika elektroniska applikationer. Dess låga on-resistans och höga strömhanteringsförmåga bidrar till effektiv strömhantering. Med en robust konstruktion och tillförlitliga elektriska egenskaper är denna komponent lämplig för olika miljöer i automations- och elektroniksystem.

Funktioner & fördelar

• Uppnår låg on-resistance för ökad effektivitet

• Stöder en maximal kontinuerlig dräneringsström på 31A

• Utformad för enkel användning i ytmonterade applikationer

• Kan arbeta inom ett temperaturområde på -55°C till +175°C

• Möjliggör snabba växlingshastigheter för förbättrad prestanda

• Tillåter en maximal effektförlust på 110 W för olika applikationer

Användningsområden

• Används i system för strömhantering

• Lämplig för motorstyrning

• Används i switchade strömförsörjningar för elektroniska apparater

• Används i fordonskretsar för förbättrad effektivitet

Vilka är de rekommenderade lödteknikerna för installation?

Använd ångfas-, infraröd- eller våglödningsteknik för bästa resultat och för att minimera den termiska belastningen på komponenten.

Klarar den av miljöer med höga temperaturer?

Ja, den fungerar effektivt inom ett temperaturområde på -55°C till +175°C, vilket gör den lämplig för extrema förhållanden.

Vilken betydelse har låg RDS(on)?

Låg RDS(on) minskar effektförlusterna, vilket förbättrar den totala effektiviteten och minskar värmeutvecklingen under drift.

Hur säkerställer jag ett korrekt växlingsbeteende?

Implementera lämpliga gate-drivkretsar för att uppnå exakta tillslags- och frånslagsegenskaper, enligt de föreslagna triggerspänningarna.

Är detta kompatibelt med standard PCB-layouter?

Ja, den är konstruerad i DPAK-förpackning, vilket möjliggör enkel integrering i vanliga mönsterkortskonstruktioner utan behov av speciella modifieringar.