Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR2607ZTRPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

80,64 kr

(exkl. moms)

100,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 760 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4516,128 kr80,64 kr
50 - 12014,672 kr73,36 kr
125 - 24513,708 kr68,54 kr
250 - 49512,746 kr63,73 kr
500 +8,064 kr40,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6768
Tillv. art.nr:
IRFR2607ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

relaterade länkar