Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

78,62 kr

(exkl. moms)

98,275 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 760 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4515,724 kr78,62 kr
50 - 12014,292 kr71,46 kr
125 - 24513,35 kr66,75 kr
250 - 49512,41 kr62,05 kr
500 +7,884 kr39,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6768
Tillv. art.nr:
IRFR2607ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

45A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

110W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Relaterade länkar