Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024ZTRPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

158,75 kr

(exkl. moms)

198,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1006,35 kr158,75 kr
125 - 2256,034 kr150,85 kr
250 - 6005,779 kr144,48 kr
625 - 12253,812 kr95,30 kr
1250 +3,024 kr75,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6766
Tillv. art.nr:
IRFL024ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

relaterade länkar