Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6766
- Tillv. art.nr:
- IRFL024ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
127,00 kr
(exkl. moms)
158,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 225 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 5,08 kr | 127,00 kr |
| 125 - 225 | 4,83 kr | 120,75 kr |
| 250 - 600 | 4,623 kr | 115,58 kr |
| 625 - 1225 | 3,046 kr | 76,15 kr |
| 1250 + | 2,419 kr | 60,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6766
- Tillv. art.nr:
- IRFL024ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.075Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.075Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Ultra low on-resistance
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 5.1 A 55 V Förbättring SOT-223, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 5.2 A 55 V Förbättring SOT-223, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 2.8 A 55 V Förbättring SOT-223, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 4.4 A 55 V Förbättring SOT-223, HEXFET
- Infineon 5 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 1.9 A 55 V HEXFET Fifth Generation
- Infineon Typ N Kanal 2.6 A 150 V Förbättring SOT-223, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet 5.1 A 55 V Förbättring SO-8, HEXFET