Infineon N Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6765
- Tillv. art.nr:
- IRFL024ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
8 152,50 kr
(exkl. moms)
10 190,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 3,261 kr | 8 152,50 kr |
| 5000 + | 3,098 kr | 7 745,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6765
- Tillv. art.nr:
- IRFL024ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.075Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.075Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Denna design har ytterligare funktioner som 175 °C kopplingsdriftstemperatur, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning.
Ultralåg påslagningsresistans
Upprepad avalanche tillåten upp till Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.4 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 5 A 55 V, SOT-223, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 55 V, SOT-223, HEXFET Fifth Generation
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 150 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- Infineon 2 N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET