Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6753
- Tillv. art.nr:
- IRFI3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 2000 enheter)*
25 844,00 kr
(exkl. moms)
32 304,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 2000 + | 12,922 kr | 25 844,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6753
- Tillv. art.nr:
- IRFI3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.036Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.036Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 64A Maximum Continuous Drain Current, 63W Maximum Power Dissipation - IRFI3205PBF
This MOSFET is suited for high-efficiency applications, offering a solution for various electronic and electrical systems. With advanced processing, it is effective in power management and switching tasks, serving as a key component in contemporary designs. Its enhancement mode technology ensures consistent performance across diverse operational conditions.
Features & Benefits
• Continuous drain current capability of 64A supports high-performance applications
• 55V drain-source voltage improves circuit reliability
• Low on-resistance of 8mΩ decreases power loss
• Quick switching speeds enhance efficiency in high-frequency applications
• Maximum power dissipation rated at 63W supports effective thermal management
• TO-220 package design allows straightforward installation in various setups
Applications
• Utilised in power supplies for efficient energy conversion
• Suitable for DC-DC converters managing high currents
• Ideal for motor control requiring rapid switching
• Employed in inverter circuits within renewable energy systems
• Used in electric vehicle power management systems
How does the low on-resistance benefit performance?
The low on-resistance reduces heat loss, increasing efficiency and ensuring more energy is available for the load instead of being wasted as heat.
What is the optimal gate voltage for efficient operation?
An optimal gate voltage of 10V ensures maximum conduction, confirming reliable operation in high current applications.
Can this component handle pulsed currents?
Yes, it is rated for pulsed drain currents up to 390A, making it suitable for transient demand applications.
What temperature range can it operate within?
It functions effectively across a wide temperature range of -55°C to +175°C, accommodating various environmental conditions.
Is this product compatible with standard PCB mounting?
Yes, its TO-220 package design ensures compatibility with conventional through-hole PCB mounting practices.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 64 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 75 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 30 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 110 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 19 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 47 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 31 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 29 A 55 V Förbättring TO-220, HEXFET
