Sök efter MPN

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer:: 262-6726
Tillv. art.nr:: IRF2807ZPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

126,34 kr

(exkl. moms)

157,925 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	25,268 kr	126,34 kr
50 - 120	19,196 kr	95,98 kr
125 - 245	17,92 kr	89,60 kr
250 - 495	16,666 kr	83,33 kr
500 +	15,366 kr	76,83 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 262-6726
Tillv. art.nr:: IRF2807ZPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	75A
	Maximal källspänning för dränering Vds	75V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A
	Maximal källspänning för dränering Vds 75V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRF2807ZPBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Relaterade länkar