Infineon N Kanal, MOSFET, 140 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6729
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-666
- Tillv. art.nr:
- IRF3808PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
110,77 kr
(exkl. moms)
138,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 205 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 22,154 kr | 110,77 kr |
| 25 - 45 | 18,592 kr | 92,96 kr |
| 50 - 120 | 17,494 kr | 87,47 kr |
| 125 - 245 | 16,172 kr | 80,86 kr |
| 250 + | 15,076 kr | 75,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6729
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-666
- Tillv. art.nr:
- IRF3808PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 140A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 140A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. Denna konstruktion har ytterligare egenskaper som 175°C drifttemperatur, låg RθJC, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv lavinklassning.
Upprepade laviner tillåtna upp till Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 230 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101