Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB029N06NF2SATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

97,71 kr

(exkl. moms)

122,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,542 kr97,71 kr
50 - 12017,764 kr88,82 kr
125 - 24516,62 kr83,10 kr
250 - 49515,434 kr77,17 kr
500 +14,268 kr71,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-5859
Tillv. art.nr:
IPB029N06NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

relaterade länkar