Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

63,10 kr

(exkl. moms)

78,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 984 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1831,55 kr63,10 kr
20 - 4826,545 kr53,09 kr
50 - 9824,64 kr49,28 kr
100 - 19823,07 kr46,14 kr
200 +21,45 kr42,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-5118
Tillv. art.nr:
IPB120N06S403ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

relaterade länkar