Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 100 A, 120 V Enhancement TO-263 IPB100N12S305ATMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

36,80 kr

(exkl. moms)

46,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 860 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 936,80 kr
10 - 2433,15 kr
25 - 4930,91 kr
50 - 9928,90 kr
100 +26,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3796
Tillv. art.nr:
IPB100N12S305ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

relaterade länkar