Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 187 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

134,40 kr

(exkl. moms)

168,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 790 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2026,88 kr134,40 kr
25 - 4524,17 kr120,85 kr
50 - 12022,58 kr112,90 kr
125 - 24520,966 kr104,83 kr
250 +19,354 kr96,77 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-5855
Tillv. art.nr:
IPB018N06NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

187A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.15mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Relaterade länkar