Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB018N06NF2SATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

109,71 kr

(exkl. moms)

137,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 790 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2021,942 kr109,71 kr
25 - 4519,756 kr98,78 kr
50 - 12018,436 kr92,18 kr
125 - 24517,114 kr85,57 kr
250 +15,792 kr78,96 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-5855
Tillv. art.nr:
IPB018N06NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

187A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

relaterade länkar