Sök efter MPN

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 197 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB

Name: Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 197 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
Brand: Infineon
SKU: 262-5844
Availability: InStock

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

9 483,20 kr

(exkl. moms)

11 854,40 kr

(inkl. moms)

I lager

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
800 - 800	11,854 kr	9 483,20 kr
1600 +	11,471 kr	9 176,80 kr

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	197A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	iPB
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.15mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 197A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie iPB
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Infineons N-kanals effekttransistor är optimerad för ett brett spektrum av applikationer och är 100 procent avalanche-testad.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.