Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

91,62 kr

(exkl. moms)

114,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 798 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1845,81 kr91,62 kr
20 - 4841,27 kr82,54 kr
50 - 9838,415 kr76,83 kr
100 - 19835,73 kr71,46 kr
200 +33,49 kr66,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-5848
Tillv. art.nr:
IPB013N06NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

190A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.15mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Relaterade länkar