Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 197 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

61,82 kr

(exkl. moms)

77,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1830,91 kr61,82 kr
20 - 4825,65 kr51,30 kr
50 - 9824,135 kr48,27 kr
100 - 19822,23 kr44,46 kr
200 +20,72 kr41,44 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-5845
Tillv. art.nr:
IPB012N04NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

197A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.15mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Relaterade länkar