Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

92,96 kr

(exkl. moms)

116,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 934 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1846,48 kr92,96 kr
20 - 4841,775 kr83,55 kr
50 - 9839,09 kr78,18 kr
100 - 19836,29 kr72,58 kr
200 +33,99 kr67,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-5120
Tillv. art.nr:
IPB180N06S4H1ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Package Type

TO-263

Series

iPB

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

relaterade länkar