Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

84,90 kr

(exkl. moms)

106,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 934 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1842,45 kr84,90 kr
20 - 4838,19 kr76,38 kr
50 - 9835,73 kr71,46 kr
100 - 19833,15 kr66,30 kr
200 +31,025 kr62,05 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-5120
Tillv. art.nr:
IPB180N06S4H1ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Relaterade länkar