Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

50,29 kr

(exkl. moms)

62,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 401 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 950,29 kr
10 - 2447,71 kr
25 - 4945,81 kr
50 - 9943,68 kr
100 +40,77 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-1218
Tillv. art.nr:
IPP60R065S7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

IPP

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

167W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

9.45 mm

Längd

10.36mm

Höjd

4.57mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

Relaterade länkar