Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP

RS-artikelnummer:: 260-1215
Tillv. art.nr:: IPP60R040S7XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP

Antal (1 rör med 500 enheter)*

16 061,00 kr

(exkl. moms)

20 076,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 04 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
500 +	32,122 kr	16 061,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 260-1215
Tillv. art.nr:: IPP60R040S7XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	13A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	IPP
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	40mΩ
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	83nC
	Maximal effektförlust Pd	245W
	Framåtriktad spänning Vf	820mV
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	15.95mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	4.57mm
	Längd	10.36mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Kapseltyp TO-220
	Serie IPP
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC
	Maximal effektförlust Pd 245W
	Framåtriktad spänning Vf 820mV
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 15.95mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 4.57mm
	Längd 10.36mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPP60R040S7XKSA1

Infineon IPP MOSFET-transistor i serien, 600 V maximal drain-källspänning, 13 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPP60R040S7XKSA1

Denna MOSFET-transistor är en toppmodern högspänningshalvledarkomponent utformad för effektiv strömomkoppling. Med robusta specifikationer, inklusive en kontinuerlig dräneringsström på 13 A och en maximal dräneringskällspänning på 600 V, är den inkapslad i en TO-220-kapsel, vilket gör den lämplig för en mängd olika tillämpningar. Den säkerställer tillförlitlig prestanda i krävande miljöer och fungerar inom ett brett temperaturområde från -55 °C till +150 °C.

Funktioner & fördelar

• Utformad med CoolMOSTM S7-teknik för att minimera ledningsförluster

• Erbjuder en låg på-resistans på 40 mΩ för ökad effektivitet

• Kan hantera höga pulsströmmar för krävande krav

• Optimerad för lågfrekvensomkopplingstillämpningar, vilket förbättrar systemprestanda

• Inbyggda funktioner säkerställer hög tillförlitlighet i statiska omkopplingsscenarier

Användningsområden

• Används för halvledarreläer och innovativa säkringskonstruktioner

• Idealisk för linjelikriktning inom högeffektsprestanda som dator- och telekommunikation

• Kan användas i förnybara energilösningar, särskilt solcellsväxelriktare

Vilka är de kritiska funktionerna som påverkar den termiska prestandan?

Enheten har en maximal effektförlust på 245 W och en termisk resistans från koppling till omgivningstemperatur på 62 °C/W, vilket underlättar effektiv värmehantering. Detta säkerställer lång livslängd och tillförlitlighet under krävande driftsförhållanden.

Hur förbättrar denna komponent systemets effektivitet för lågfrekventa tillämpningar?

Med sin låga påslagningsresistans och CoolMOSTM-teknik minskas energiförlusterna under drift avsevärt, vilket möjliggör förbättrad övergripande effektivitet och minimerar värmegenerering i lågfrekvensmiljöer.

Vilka är de rekommenderade metoderna för att använda detta i högspänningstillämpningar?

Det är lämpligt att utvärdera effekterna av kosmisk strålning under designfasen och överväga lämpliga designmetoder, t. ex. att använda ferritpärlor på grinden för parallella tillämpningar, för att mildra eventuella problem.