Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-artikelnummer:
- 260-1217
- Tillv. art.nr:
- IPP60R065S7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (500 enheter, i ett rör med 500)*
8 173,00 kr
(exkl. moms)
10 216,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 500 + | 16,346 kr | 8 173,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1217
- Tillv. art.nr:
- IPP60R065S7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 820mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 9.45mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 820mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 9.45mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET ger bästa prisprestanda för lågfrekvensomkopplingstillämpningar. CoolMOS S7 har de lägsta Rdson-värdena för en HV SJ MOSFET, med distinkt ökad energieffektivitet. CoolMOS S7 är optimerad för ”statisk omkoppling” och tillämpningar med hög ström. Det är idealiskt för halvledarreläer och säkringskonstruktioner samt för linjelikriktering i SMPS- och växelriktartopologier.
Hög pulsströmsförmåga
Ökad systemprestanda
Mer kompakt och enklare design
Lägre BOM och/eller TCO under förlängd livslängd
Stötsäkerhet och vibrationsbeständighet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.9 A 500 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 119 A 60 V, 3 Ben, TO-220, IPP