Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 118 A 100 V N, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 259-2604
- Tillv. art.nr:
- IPD052N10NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
97,30 kr
(exkl. moms)
121,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 975 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,46 kr | 97,30 kr |
| 50 - 120 | 17,526 kr | 87,63 kr |
| 125 - 245 | 16,36 kr | 81,80 kr |
| 250 - 495 | 15,356 kr | 76,78 kr |
| 500 + | 14,192 kr | 70,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-2604
- Tillv. art.nr:
- IPD052N10NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 118A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 118A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFETs are optimized for a broad range of applications like SMPS, motor drive, battery powered, battery management, UPS, and light electric vehicles. This new technology offers up to 40 percent RDS(on) improvement and up to 60 percent lower Qg compared to the previous StrongIRFET devices, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices translating to lower BOM costs and board savings.
Broad availability from distribution partners
Excellent price/performance ratio
Ideal for high and low switching frequencies
Industry standard footprint through-hole package
High current rating