Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V N, TO-252, IPD

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

32 557,50 kr

(exkl. moms)

40 697,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +13,023 kr32 557,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-5131
Tillv. art.nr:
IPD320N20N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

34A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

IPD

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

32mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons N-kanal optiMOS MOSFET-transistor ger utmärkt grindladdning. Den är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering.

N-kanal, normal nivå

Idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.