Infineon N Kanal, MOSFET, 118 A 100 V N, TO-252, IPD

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

17 848,00 kr

(exkl. moms)

22 310,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +8,924 kr17 848,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
259-2601
Tillv. art.nr:
IPD052N10NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

118A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons StrongIRFET 2 effekt-MOSFET är optimerade för ett brett spektrum av applikationer som SMPS, motorstyrning, batteridriven, batterihantering, UPS och lätta elfordon. Den här nya tekniken erbjuder upp till 40 procent RDS(on)-förbättring och upp till 60 procent lägre Qg jämfört med de tidigare StrongIRFET-enheterna, vilket innebär högre energieffektivitet för förbättrad övergripande systemprestanda. Ökade strömvärden möjliggör högre strömbärande kapacitet, vilket eliminerar behovet av att parallellt använda flera enheter, vilket resulterar i lägre BOM-kostnader och kortbesparingar.

Bred tillgänglighet från distributionspartners

Utmärkt pris/prestandaförhållande

Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens

Industristandard för genomgående hål

Högströmsklassning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.