Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 102 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 259-1484
- Tillv. art.nr:
- BSZ0902NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
54,99 kr
(exkl. moms)
68,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 970 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 10,998 kr | 54,99 kr |
| 50 - 120 | 8,78 kr | 43,90 kr |
| 125 - 245 | 8,244 kr | 41,22 kr |
| 250 - 495 | 7,684 kr | 38,42 kr |
| 500 + | 4,278 kr | 21,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1484
- Tillv. art.nr:
- BSZ0902NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 102A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 102A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8Ω | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon power MOSFET has ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. It is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour, as well as increased battery life.
Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
Increased battery lifetime
Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
Saving costs
Saving space
Reducing power losses
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 102 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 61 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 123 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 7 A 200 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 5 A 250 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 15.2 A 200 V N TSDSON, BSZ
