Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 55 V TO-252 IRLR3915TRPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

36,29 kr

(exkl. moms)

45,362 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 474 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1818,145 kr36,29 kr
20 - 4816,52 kr33,04 kr
50 - 9815,40 kr30,80 kr
100 - 19814,335 kr28,67 kr
200 +13,215 kr26,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3999
Tillv. art.nr:
IRLR3915TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

61A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-40-553

The Infineon HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

relaterade länkar