Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V TO-252

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

8 776,00 kr

(exkl. moms)

10 970,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 - 20004,388 kr8 776,00 kr
4000 +4,169 kr8 338,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3110
Tillv. art.nr:
IRFR4105TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.045V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

2.39 mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series 55V N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering technique.

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Lead free

relaterade länkar