Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3983
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
13 548,00 kr
(exkl. moms)
16 935,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,516 kr | 13 548,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3983
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon R MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Increased ruggedness
Wide availability from distribution partners
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 100 V TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 55 V TO-252, HEXFET
