Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 136 A 60 V P, TDSON, IPI
- RS-artikelnummer:
- 258-3884
- Tillv. art.nr:
- IPI029N06NAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 50 enheter)*
618,25 kr
(exkl. moms)
772,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 12,365 kr | 618,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3884
- Tillv. art.nr:
- IPI029N06NAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 136A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | IPI | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 136A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie IPI | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS power-transistor is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
40% improvement of FOM over similar devices
RoHS compliant - halogen free
MSL1 rated
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 136 A 60 V P IPI
- Infineon Dubbel N Kanal 20 A 40 V P IPG
- Infineon Typ P Kanal -40 A -30 V P TDSON, BSZ
- Infineon Typ P Kanal 78.6 A 30 V P TDSON, BSC
- Infineon Typ P Kanal 100 A 30 V Förbättring TDSON, OptiMOS P
- Infineon Typ N Kanal 120 A 80 V Förbättring TO-262, IPI AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal -19.6 A 60 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -22 A 150 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
